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        粉末冶金法制高純?yōu)R射鉻靶材的方法

        發(fā)布時(shí)間 :2023-03-18 15:28:26 瀏覽次數(shù) :

        高純?yōu)R射鉻靶材是近年來(lái)新研制和開(kāi)發(fā)的一種靶材,先后在集成電路、液晶顯示屏、真空鍍膜及電子控制器件等多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。鉻靶材可以采用多種方法制備,而針對(duì)市場(chǎng)的大量需求,在進(jìn)行鉻靶批量生產(chǎn)時(shí),通常要求其純度能夠達(dá)到85%左右,因此,需要在選擇合理制備工藝的同時(shí),有效控制高純?yōu)R射鉻靶材的生產(chǎn)成本。

        鉻靶材

        1、試驗(yàn)原材料及試驗(yàn)方法

        1.1 試驗(yàn)原材料的選擇

        在試驗(yàn)過(guò)程中,我們選擇電解鉻粉作為試驗(yàn)原材料,其主要化學(xué)成分為Cr,其雜質(zhì)元素含量為:

        w(A1)=0.01%,w(Fe)-=0.02%,w(Pb)=0.01%,w(Si)=0.0015%,w(Cu)=0.002%,w(C)=0.004%,w(S)=0.001%,w(O)=0.3%。

        1.2 試驗(yàn)方法及試驗(yàn)制備

        常用的粉末冶金工藝包括傳統(tǒng)燒結(jié)、熱壓、真空熱壓和熱等靜壓等多種方法[1]。本試驗(yàn)選擇傳統(tǒng)燒結(jié)法和熱壓法。

        1.2.1成型及燒結(jié)試驗(yàn)

        傳統(tǒng)的燒結(jié)方法能夠用于大尺寸靶材的制備,但是致密度通常不高,在采用該方法制備靶材時(shí),為了提高靶材的密度,通常需要增加燒結(jié)時(shí)間,或者在燒結(jié)之后進(jìn)行軋制處理。這里首先將電解鉻粉與成型劑按一定比例放置于軋制模具中,然后利用300t的液壓機(jī)將鉻粉軋制成型或者包套,并進(jìn)行等靜壓成型。模壓壓坯的標(biāo)準(zhǔn)尺寸為φ65mm x φ45mm x 46mm。將壓制成型的壓塊放人真空碳管爐中,在真

        空條件下對(duì)其進(jìn)行低溫?zé)Y(jié);如果進(jìn)行高溫?zé)Y(jié),則需要在惰性氣體環(huán)境中進(jìn)行,一般選擇氬氣,燒結(jié)溫度為1300℃和1450℃兩種,燒結(jié)時(shí)間均為7h。在燒結(jié)完成后,對(duì)比靶坯的尺寸、密度變化情況。

        1.2.2熱壓試驗(yàn)

        熱壓法具有工藝簡(jiǎn)單、致密度高的特點(diǎn)。在采用熱壓試驗(yàn)進(jìn)行靶材制備時(shí),首先將混合后的鉻合金粉末放置到熱壓模具中,然后在惰性氣體(氬氣)環(huán)境下將其加熱到1300℃左右,之后進(jìn)行1h左右的保溫,最后冷卻至600℃出爐。靶坯的標(biāo)準(zhǔn)尺寸為φ60mm x φ30mm。完成之后對(duì)靶坯的尺寸變化情況進(jìn)行分析,并計(jì)算出靶坯的密度。熱壓法一般為單向加壓,因此,采用該方法制備的鉻靶材通常整體致密度不均勻,可見(jiàn)該方法只能適用于小尺寸靶材的制備。為了保證靶材的純度,通常在制備過(guò)程中不需要添加其他成型劑,而直接利用高純度的金屬粉末進(jìn)行制備。

        2、試驗(yàn)結(jié)果分析

        2.1 靶坯壓制過(guò)程

        在進(jìn)行靶坯軋制的過(guò)程中,由于各種摩擦因素的影響,壓力損失,導(dǎo)致靶坯各部分受壓不均勻,從而影響到靶材成型后的密度分布[引。通過(guò)采用雙向壓制的方法,能夠有效避免因壓力損失導(dǎo)致的靶材密度分布不均勻的問(wèn)題。

        2.2 加工方法對(duì)鉻靶材密度的影響

        在進(jìn)行鉻靶材制備的過(guò)程中,加工方法會(huì)直接影響到靶材的密度。目前,常用的鉻靶材加工方法主要包括熱等靜壓、真空熔煉、熱壓、冷等靜壓+燒結(jié)以及機(jī)壓+燒結(jié)的方法。表1給出了在不同加工方法下鉻靶材的密度數(shù)據(jù)。

        未標(biāo)題-3.jpg

        從表1中的數(shù)據(jù)可以看出,采用不同的加工方法,所制備的鉻靶材的密度差距比較明顯,其中采用熱等靜壓、真空熔煉以及熱壓三種方法,基本能夠保證鉻靶材的純度達(dá)到98%以上,但是這三種加工方法的成本相對(duì)較高,不適合應(yīng)用到大規(guī)模生產(chǎn)中。在一般的鉻靶材批量生產(chǎn)中,通常要求純度達(dá)到80%~85%。針對(duì)這種要求,我們可以選擇“冷等靜壓+燒結(jié)”以及“機(jī)壓+燒結(jié)”的方法對(duì)鉻靶材進(jìn)行加工,這樣既能滿(mǎn)足批量生產(chǎn)的密度要求,又能很好地控制制造成本。

        2.3 燒結(jié)過(guò)程的控制

        鉻粉燒結(jié)屬于單元系燒結(jié),其燒結(jié)機(jī)制以擴(kuò)散為主[引。當(dāng)溫度在400℃以下時(shí),應(yīng)力恢復(fù),吸附的水氣和水分會(huì)揮發(fā),壓塊的尺寸基本不會(huì)發(fā)生變化,而隨著溫度的不斷升高,靶坯中的成型劑逐漸分解并釋放出來(lái),使?fàn)t內(nèi)的真空度下降。當(dāng)溫度升高至400~800℃之間時(shí),進(jìn)行1h的保溫,然后爐內(nèi)開(kāi)始出現(xiàn)再結(jié)晶,顆粒的內(nèi)變形會(huì)逐漸恢復(fù),從而形成新的結(jié)晶體,顆粒界面會(huì)隨著擴(kuò)散逐漸發(fā)生黏結(jié),

        靶坯的強(qiáng)度逐漸增加。當(dāng)真空度上升到10~2后,向爐內(nèi)注入氬氣,避免鉻被氧化,然后繼續(xù)升溫至1100~1 200℃,并對(duì)溫度上升的速度進(jìn)行控制,保持2h左右的時(shí)間,以保證粉末顆粒黏結(jié)的充分進(jìn)行,提高靶坯的密度和強(qiáng)度。之后繼續(xù)加溫并控制升溫速度,使溫度在2h左右上升至1300~1450℃,之后進(jìn)行0.5—1.5h的保溫。將靶坯的燒結(jié)時(shí)間降低到7h,不會(huì)影響靶坯的燒結(jié)密度,還能降低大約30%的成本。在燒結(jié)的過(guò)程中需要對(duì)加熱速度進(jìn)行控制,避免因過(guò)快的加熱速度導(dǎo)致吸附氣體不能被徹底排除而影響到鉻環(huán)的收縮不均勻,造成變形,影響到鉻靶材的燒結(jié)密度。另外,過(guò)快的加熱速度還可能導(dǎo)致壓制過(guò)程中的高內(nèi)應(yīng)力,使鉻靶材出現(xiàn)裂紋。

        因此,在高溫?zé)Y(jié)階段,對(duì)升溫速度和最高溫度的控制尤為重要。

        2.4 保護(hù)氣體對(duì)鉻靶材燒結(jié)密度的影響

        在進(jìn)行鉻靶材的燒結(jié)時(shí),在通常情況下,需要將燒結(jié)溫度提高到1250~1450℃之間時(shí),才能形成純鉻粉靶環(huán)的燒結(jié)。此時(shí),其他因素對(duì)靶材燒結(jié)的影響較低。經(jīng)過(guò)實(shí)踐發(fā)現(xiàn),當(dāng)燒結(jié)溫度在1250~1 450℃之間時(shí),如果沒(méi)有惰性氣體進(jìn)行燒結(jié)保護(hù),就可能會(huì)發(fā)生一定的氧化現(xiàn)象,而且鉻的蒸發(fā)量也較大。為了避免這種情況,在進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)時(shí),必須向爐內(nèi)加入惰性氣體進(jìn)行保護(hù),適當(dāng)控制爐內(nèi)壓力。同時(shí),真空度對(duì)靶坯的燒結(jié)密度會(huì)產(chǎn)生一定程度的影響。

        3、結(jié)論

        1)不同的加工方式所制備的靶材密度存在較大差異,通常情況下,在進(jìn)行批量鉻靶材生產(chǎn)時(shí),要求靶材純度達(dá)到80%~85%,此時(shí)可以采用“模壓+燒結(jié)”或者“冷等靜壓+燒結(jié)”的方式進(jìn)行加工;而鉻合金靶材的純度要求一般需要在98%以上,此時(shí)可以選擇真空熔煉、熱壓及熱等靜壓的方式進(jìn)行加工。

        2)在進(jìn)行靶坯的壓制過(guò)程中,只需要采用雙向壓制方法,不需要向鉻粉中添加任何成型劑,即能很好保證靶坯的密度。

        3)通過(guò)對(duì)燒結(jié)的時(shí)間、溫度的變化進(jìn)行合理的控制,能夠在保證燒結(jié)密度的情況下,大幅度降低燒結(jié)成本。

        參考文獻(xiàn)

        [1]羅俊峰.粉末冶金靶材的制備與應(yīng)用[J].中國(guó)金屬通報(bào),2011(31):40—41.

        [2]張冷,張維佳,宋登元,等.銅銦鎵硒薄膜的真空制備工藝及靶材研究現(xiàn)狀[J]助能材料,2013,44(14):1 990—1 994.

        [3]儲(chǔ)志強(qiáng).國(guó)內(nèi)外磁控濺射靶材的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)[J].金屬材料與冶金工程,2011(4):44-49.

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